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集成电路用的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管
作者姓名:W.V.Mclevige  何岩
摘    要:利用分子束外延(MBE)和离子注入来制造隐埋宽禁带发射区的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管。倒置型的电流增益约为100,表明了这种技术用于I~2L型数字集成电路的可行性。

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