高气压下氢化微晶硅薄膜的高速沉积 |
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作者姓名: | 申陈海 卢景霄 陈永生 郭学军 陈庆东 |
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作者单位: | 郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展计划 |
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摘 要: | 利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜。研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响。研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱;高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚;电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区。经过工艺的初步优化,在高压强(600 Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1 nm/s。
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关 键 词: | μc-Si:H 高速沉积 结晶状况 电学特性 |
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