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杂志ISSN号
影干涉光刻技术
作者姓名:
童志义
摘 要:
采用λ/2的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形,它将电路图形的CD尺寸极限推进到λ/4,当采用193nm光源曝光时,CD尺寸为50nm以下。干涉光刻技术(IL)探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术未来的发展,将使光学方法100nm 下的电路图形成为可能。
关 键 词:
影像干涉光刻 光刻技术 ULSI IC
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