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| 一种新型的氧化工艺—氢-氧合成法 | |
| 引用本文： | 王志成,赵小林,朱美华,徐信慧,杨关振.一种新型的氧化工艺—氢-氧合成法[J].上海有色金属,1982(2). |
| 作者姓名： | 王志成 赵小林 朱美华 徐信慧 杨关振 |
| 作者单位： | 上海交通大学应用物理系，上海交通大学应用物理系，上海交通大学应用物理系，上海交通大学应用物理系，上海交通大学应用物理系 |
| 摘 要： | 本文报导MOS器件最常用的〈100〉晶向,8～10Ω-cm电阻率的Si片在900℃～1200℃温度区域里氫—氧合成水汽氧化工艺。此工艺与常用的氧气鼓泡法即湿氧法(水浴温度为95℃)比较表明:二种氧化方法生长的氧化膜的物理性质大致相同。氢氧合成法的氧化速率常数,在温度高于950℃时略大于氧气鼓泡法;平带电压的改变量△V_(FB)约为0.4～1V左右(N_(Na) <10~(11)个/cm~2);界面密度N_(ss)的值略低于氧气鼓泡法。 |
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