| 微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 张永平,顾有松,常香荣.微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的研究[J].真空电子技术,2000(1):52-55. |
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| 作者姓名： | 张永平 顾有松 常香荣 |
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| 作者单位： | ：张永平(北京科技大学材料物理系，北京 100083）;顾有松(北京科技大学材料物理系，北京 100083）;常香荣(北京科技大学材料物理系，北京 100083）;田中卓(北京科技大学材料物理系，北京 100083）;时东霞(中国科学院北京真空物理实验室，北京 100080);张秀芳(中国科学院北京真空物理实验室，北京 100080) |
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| 摘 要： | 本文采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ），高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体，在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ－射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４，接近Ｃ３Ｎ４的化学比；Ｘ射线衍射谱说明薄膜主要由β和α－Ｃ３Ｎ４组成；ＦＴ－ＩＲ谱和Ｒａｍａｎ谱支持Ｃ－Ｎ键的存在。
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| 关 键 词： | 微波等离子体 化学气相沉积 薄膜 |
| 修稿时间： | 1999-07-07 |
Studies of C3N4
Thin Films Prepared by Microwave Plasma
Chemical Vapor Deposition |
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| ZHANG Yong-ping,GU You-song,CHANG
Xiang-rong,TIAN Zhong-zhuo.Studies of C3N4
Thin Films Prepared by Microwave Plasma
Chemical Vapor Deposition[J].Vacuum Electronics,2000(1):52-55. |
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| Authors: | ZHANG Yong-ping GU You-song CHANG
Xiang-rong TIAN Zhong-zhuo |
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| Affiliation: | ZHANG Yong-ping,GU You-song,CHANG
Xiang-rong,TIAN Zhong-zhuo;
(Department of Materials Physics,University of Science and Technology Beijing,Beijing |
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