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| 超高速4K单元NMOS随机存储器(MB 8211) | |
| 引用本文： | 茂木淳一,宫坂清,郭志先.超高速4K单元NMOS随机存储器(MB 8211)[J].计算机研究与发展,1975(6). |
| 作者姓名： | 茂木淳一 宫坂清 郭志先 |
| 摘 要： | MOS随机存储器(RAM)作为电子计算机主存储器而大量需要的情况下,近几年来在高速化和高集成化方面部取得了很显著的进展。在高速化方面1K单元/芯片的取数时间为50～100毫微秒,在高集成化方面4K单元/芯片的MOS RAM都已进入了商品化阶段, 现在已有10余家半导体公司出售或者发表了有关4K单元RAM,其中大多数的取数时间是在300～600毫微秒的中低速范围内,目前,主要重点是放在大容量和低价格方面。然而,看来象1K单元MOS存储器那样,4K单元存储器显然也逐渐地向高速化方面前进,作为 |
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