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| 中压沟槽MOSFET的设计与研究 | |
| 作者姓名： | 卓宁泽 赖信彰 于世珩 |
| 作者单位： | 江苏长晶科技股份有限公司 |
| 基金项目： | 江苏省重点研发计划（BE2020010）； |
| 摘 要： | 基于仿真和实验方法,开展了100VN沟槽MOSFET的设计研究工作.通过沟槽深度,体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏,获得了对击穿电压,阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析,仿真工具同时描述了器件内部的电流路径和碰撞电离率分布.随着沟槽深度增加击穿电压先升后降,导通电阻则表现为相反趋势；击穿电压与注入剂量具有弱相关性,阈值电压随注入剂量增加而升高；击穿电压随着栅氧化层厚度增加整体表现上升趋势,但变化幅度不大,阈值电压与厚度变化表现出强相关性.通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数为沟槽深度1.5μm,体区注入剂量1.3E13,栅氧化层厚度700 A,通过流片获得器件最终电性参数为击穿电压为105.6 V,阈值电压2.67 V,导通电阻3.12 mR,相较于仿真参数分别有98%,94%和75%的变化率. |
| 关 键 词： | 沟槽MOSFET 沟槽深度 注入剂量 击穿电压 导通电阻 阈值电压 |