| 垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究 |
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| 引用本文： | 谈惠祖,杜立新,赵福川. 垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究[J]. 功能材料与器件学报, 2002, 8(1): 73-76 |
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| 作者姓名： | 谈惠祖 杜立新 赵福川 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 在国产三温区VGF单晶炉上，研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响，基本解决了VGF的工艺问题。通过多炉生长，得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶。
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| 关 键 词： | 垂直梯度凝固 晶体生长 半绝缘砷化镓单晶 |
| 文章编号： | 1007-4252(2002)01-0073-04 |
| 修稿时间： | 2000-11-28 |
A study on vertical gradient freeze technique of semi-insulating GaAs crystals |
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| TAN Hui-zu,DU Li-xin,ZHAO Fu-chuan. A study on vertical gradient freeze technique of semi-insulating GaAs crystals[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2002, 8(1): 73-76 |
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| Authors: | TAN Hui-zu DU Li-xin ZHAO Fu-chuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | vertical gradient freeze(VGF) semi-insulating GaAs crystal crystal growth |
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