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p,n型一掺杂的挖槽门极晶闸管制造法
引用本文:陈福元.p,n型一掺杂的挖槽门极晶闸管制造法[J].电力电子技术,1993,27(4):50-52.
作者姓名:陈福元
摘    要:提出采用p,n型杂质两面分别涂层一步扩散及挖槽门极的晶闸管制造工艺,有效地控制了门极解发特性参数,降低了器件通态电压,简化了工序,提高了新产品性能价值比。

关 键 词:晶闸管  挖槽门极  制造
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