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| PECVD法制备的SiOxNyHz薄膜的直流电导特性研究 | |
| 引用本文： | 刘嘉荷.PECVD法制备的SiOxNyHz薄膜的直流电导特性研究[J].半导体技术,1991(5):55-61. |
| 作者姓名： | 刘嘉荷 |
| 作者单位： | 四川仪表六厂 630700 |
| 摘 要： | 本文研究了在低温(430℃)下用PECVD法淀积的SiO_xN_yH_z薄膜的直流电导特性。实验证实这种薄膜即使在x接近1时仍具有极低的电导率(8×10~(-17)Ω~(-1)·cm~(-1))在室温弱场强下其导电机理符合Mott模型。当温度较高时,Poole-Frenkel导电机构将起主导作用。而在常温强电场下,样品导电则从Fowler-Nordheim机构为主。直流电导研究进一步证实了我们关于x接近1的样品中存在SiO_xH_x和SiN_yH_z分离相,而不存在a-Si凝聚相的模型。 |
| 关 键 词： | SiONH薄膜 制造 PECVD法 电导特性 |
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