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| 介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法的技术改进—垫高电压 | |
| 引用本文： | 杨劲,陈蒲生.介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法的技术改进—垫高电压[J].半导体技术,1991(4):49-52. |
| 作者姓名： | 杨劲 陈蒲生 |
| 作者单位： | 机电部广州电器科学研究所 510641 (杨劲)，华南理工大学应用物理系 510641(陈蒲生) |
| 摘 要： | 本文介绍在我们用于研究MOS、MIS结构介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法中的技术小改进——垫高电压。这一在原测试电路上十分简单的改进,可使我们原有测试系统探测到俘获截面小到10~(-1)_8cm~2的电子陷阱,且为介质膜的雪崩空穴注入提供了准确、便利和有效的技术手段。 |
| 关 键 词： | 介质膜 电荷陷阱 注入 垫高电压 |
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