沉积条件和内应力对a—Si：H膜光致发光谱的影响

实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方向移动,半宽带展宽,并且发光强度略有下降。文中对这些实验结果进行了解释。