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| WT3DG系列宽温区晶体管：一种BSIT的改进型器件 | |
| 作者姓名： | 董利民 亢宝位 |
| 作者单位： | 北京工业大学 100022(董利民)，北京工业大学 100022(亢宝位) |
| 摘 要： | 利用BSIT电流放大系数具有负温度系数的特点,结合目前我国半导体工艺水平研制的改进型BSIT——WT3DG系列宽温区硅高频小功率晶体管,具有良好的电性能和温度特性。是工作在-65～200℃温度范围内电子仪器的理想器件。 |
| 关 键 词： | 晶体管 BSIT 宽温区 |
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