| 氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响 |
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| 引用本文： | 彭福川,林丽梅,郑卫峰,盖荣权,赖发春.氧分压对射频磁控溅射制备氧化锌薄膜光电学性质的影响[J].Canadian Metallurgical Quarterly,2011,27(1). |
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| 作者姓名： | 彭福川 林丽梅 郑卫峰 盖荣权 赖发春 |
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| 作者单位： | 福建师范大学物理与光电信息科技学院,福建,福州,350108 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金，福建省教育厅资助项目 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射峰为(002)峰,随氧分压的增加,(002)峰的强度降低,且出现了(101)面的衍射峰.氧分压的升高,薄膜的表面粗糙度和载流子浓度减小,迁移率增大,电阻率从氧分压为0时的0.2 Ωcm增加到7.57 mPa时的1 400 Ωcm.所有样品在可见光区的平均透过率都大于83%,薄膜的折射率随氧分压的增加而增大,而消光系数和光学带隙则减小.
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 射频磁控溅射 氧分压 光电学性质 |
Effect of Oxygen Partical Pressure on the Optical and Electrical Properties of ZnO Films Deposited by RF Magnetron Sputtering |
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| PENG Fu-chuan,LIN Li-mei,ZHENG Wei-feng,GAI Rong-quan,LAI Fa-chun.Effect of Oxygen Partical Pressure on the Optical and Electrical Properties of ZnO Films Deposited by RF Magnetron Sputtering[J].Canadian Metallurgical Quarterly,2011,27(1). |
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| Authors: | PENG Fu-chuan LIN Li-mei ZHENG Wei-feng GAI Rong-quan LAI Fa-chun |
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