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| EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT | |
| 引用本文： | 姚钢.EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT[J].电子设计技术,2010,17(10). |
| 作者姓名： | 姚钢 |
| 作者单位： | EDN China; |
| 摘 要： | 宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation,EPC)是氮化镓(GaN)功率晶体管先行者。EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统硅功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。 |
| 关 键 词： | 电源技术 eGaN MOSFE IGBT 硅基板氮化镓 宜普电源转换EPC |
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