| 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究 |
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| 引用本文： | 张晓康 邓金祥 王瑶 陈光华 郝伟 侯碧辉 贺德衍. 氮化硼薄膜在退火相变中的应力研究[J]. 功能材料, 2007, 38(A10): 3901-3903 |
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| 作者姓名： | 张晓康 邓金祥 王瑶 陈光华 郝伟 侯碧辉 贺德衍 |
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| 作者单位： | [1]北京工业大学应用数理学院,北京100022 [2]北京工业大学教育部新型功能材料重点实验室,北京100022 [3]兰州大学物理科学与技术学院,甘肃兰州730000 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金资助项目（4072007）;国家自然科学基金资助项目（60376007）致谢：感谢北京市属市管高校人才强教计划基金的资助. |
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| 摘 要： | 利用射频溅射系统在P型Si（100）衬底上制备氮化硼薄膜。对其进行600～1000℃的常压下N2保护退火。通过傅立叶变换红外谱（FTIR）分析，发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。通过不同温度退火后立方相横光学振动模式峰位的移动，计算了氮化硼薄膜中残余应力的变化。发现沉积后退火很好地解决了高立方相氮化硼薄膜应力释放的问题，可提高立方氮化硼薄膜在硅衬底上的粘附性。并且探索性地讨论在退火过程中c-BN成核、生长与薄膜中应力变化的关系。
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| 关 键 词： | 氮化硼薄膜 退火 傅立叶变换红外光谱 应力 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-3901-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-30 |
Study on stress during phase transformation induced by annealing in boron nitride films |
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| ZHANG Xiao-kang, DENG Jin-xiang, WANG Yao, CHEN Guang-hua, HA Wei, HU Bi-hui, HE De-yah. Study on stress during phase transformation induced by annealing in boron nitride films[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(A10): 3901-3903 |
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| Authors: | ZHANG Xiao-kang DENG Jin-xiang WANG Yao CHEN Guang-hua HA Wei HU Bi-hui HE De-yah |
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| Affiliation: | 1 .School of Applied Mathematics and Physics, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China; 2.The Key Laboratory of Advanced Functional Materials,Ministry of Education of China, Beijing University of Technology, Beijing 100022, China; 3.School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | boron nitride films annealing FTIR stress |
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