| 正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响 |
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| 引用本文： | 吕凯 刘向东 池波 张雅萍 张静 刘晓丽 乌迪. 正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层特性的影响[J]. 功能材料, 2007, 38(A10): 4081-4083 |
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| 作者姓名： | 吕凯 刘向东 池波 张雅萍 张静 刘晓丽 乌迪 |
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| 作者单位： | 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特010051 |
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| 基金项目： | 内蒙古科技攻关资助项目（20040202） |
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| 摘 要： | ZAlSi12因为含Si量高，其微弧氧化过程不同于其它铸造铝合金。铸铝合金中si的存在不利于在其表面进行微弧氧化。因此，研究正向电压、氧化时间对ZAlSi12微孤氧化陶瓷层特性的影响规律，对于获得良好的陶瓷表面层有着重要的意义。研究了不同的正向电压及氧化时间对ZAlSi12微弧氧化陶瓷层厚度的影响规律，并对膜层进行了磨损试验。采用XRD分析陶瓷层的相组成。研究结果显示，电压为440V／120V时，陶瓷层性能最佳，膜层厚度达169μm。氧化时间为0～48min时，膜层生长速度快，超过48min后，生长缓慢。因此，适宜的氧化时间为48min。
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| 关 键 词： | ZAlSi12 微弧氧化 正向电压 氧化时间 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-4081-03 |
| 修稿时间： | 2007-06-25 |
Effect of forward voltage and oxidation time on characteristics of micro-oxidation film of ZAlSi12 |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot 010051, China |
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| Keywords: | ZAlSi12 micro-oxidatiom forward voltages oxidation time |
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