| 气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究 |
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| 引用本文： | 何知宇,赵北君,朱世富,任锐,温才,叶林森,钟雨航,王立苗,杨慧光.气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究[J].功能材料,2007,38(A10):4044-4046. |
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| 作者姓名： | 何知宇 赵北君 朱世富 任锐 温才 叶林森 钟雨航 王立苗 杨慧光 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,四川成都610064 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划（863计划）资助项目（2202AA325030） |
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| 摘 要： | 以晶体生长理论为基础，计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时，晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度，以后不再变化。由此，在选定温场的前提下，对CdSe单晶体的气相生长速度进行了优化，确定了3mm／d的生长速度，得到了平界面生长的尺寸为Ф20mm×30mm，电阻率高达10^9Ω·cm，且未观察到深能级陷阱的优质CdSe大单晶体.
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| 关 键 词： | CdSe 晶体生长 气相提拉 平界面 生长速度 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-4044-03 |
| 修稿时间： | 2007-04-30 |
Study on CdSe single crystal growth speed with vapor phase method |
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| HE Zhi-yu, ZHA Bei-jun, ZHU Shi-fu, REN Rui, WEN Cai, YE Lin-sen, ZHNG Yu-hang, WANG Li-miao, YANG Hui-guang.Study on CdSe single crystal growth speed with vapor phase method[J].Journal of Functional Materials,2007,38(A10):4044-4046. |
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| Authors: | HE Zhi-yu ZHA Bei-jun ZHU Shi-fu REN Rui WEN Cai YE Lin-sen ZHNG Yu-hang WANG Li-miao YANG Hui-guang |
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| Affiliation: | The Department of Materials Science, Sichuan University, Chengdu 610064, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdSe crystal growth vapor phase pulling method flat interfaee growth speed |
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