| Mg2Si电子结构及光学性质的研究 |
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| 引用本文： | 陈茜,谢泉,闫万珺,杨创华,赵凤娟.Mg2Si电子结构及光学性质的研究[J].功能材料,2007,38(A10):4119-4123. |
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| 作者姓名： | 陈茜 谢泉 闫万珺 杨创华 赵凤娟 |
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| 作者单位： | [1]贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 [2]贵州大学电子科学与信息技术学院,贵州贵阳550025 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60566001） |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质。计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体，禁带宽度为0．2994eV；其价带主要由Si的3p以及Mg的3s、3p态电子构成，导带主要由Mg的3s、3p以及Si的3p态电子构成；静态介电常数ε1（0）=18．89；折射率n0=4．3460；吸收系数最大峰值为356474．5cm^-1；并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果，为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。
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| 关 键 词： | Mg2Si 第一性原理 电子结构 光学性质 |
| 文章编号： | 1001-9731（2007）增刊-4119-05 |
| 修稿时间： | 2007-04-28 |
Study on the electronic structure and optical properties for Mg2Si |
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| CHEN Qian, XIE Quan, YAN Wan-jun, YANG Chuang-hua, ZHA Feng-juan.Study on the electronic structure and optical properties for Mg2Si[J].Journal of Functional Materials,2007,38(A10):4119-4123. |
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| Authors: | CHEN Qian XIE Quan YAN Wan-jun YANG Chuang-hua ZHA Feng-juan |
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| Affiliation: | CHEN Qian, XIE Quan, YAN Wan-jun, YANG Chuang-hua, ZHA0 Feng-juan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Mg2Si first-principles electronic structure optical properties |
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