| 高量子效率中波InAs/GaSb II类超晶格探测器分子束外延生长及特性 |
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| 引用本文： | 陈凯豪,徐志成,梁钊铭,朱艺红,陈建新,何力.高量子效率中波InAs/GaSb II类超晶格探测器分子束外延生长及特性[J].红外与毫米波学报,2021,40(3):285-289. |
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| 作者姓名： | 陈凯豪 徐志成 梁钊铭 朱艺红 陈建新 何力 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083;中国科学院大学，北京 100049,中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 摘 要： | 基于分子束外延（MBE）生长技术获得了高量子效率的InAs/GaSb T2SLs中波红外（MWIR）光电探测器结构材料，表现出了层状结构生长的光滑表面和出色的晶体结构均匀性。此超晶格中波红外探测器的50%截止波长约为5.5 μm，峰值响应率为2.6 A/W，77 K下量子效率超过了80%，与碲镉汞的量子效率相当。在77 K，-50 mV偏压下的暗电流密度为1.8×10-6 A/cm2，最大电阻面积乘积（RA）（-50 mV偏压）为3.8×105Ω·cm2，峰值探测率达到了6.1×1012 cm Hz1 / 2/W。
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| 关 键 词： | 分子束外延 高量子效率 中波红外 |
| 收稿时间： | 2020/5/29 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/5/11 0:00:00 |
Molecular beam epitaxy growth and characteristics of the high quantum efficiency InAs/GaSb type-II superlattices MWIR detector |
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| CHEN Kai-Hao,XU Zhi-Cheng,LIANG Zhao-Ming,ZHU Yi-Hong,CHEN Jian-Xin and HE Li.Molecular beam epitaxy growth and characteristics of the high quantum efficiency InAs/GaSb type-II superlattices MWIR detector[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2021,40(3):285-289. |
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| Authors: | CHEN Kai-Hao XU Zhi-Cheng LIANG Zhao-Ming ZHU Yi-Hong CHEN Jian-Xin and HE Li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy high quantum efficiency mid-wavelength infrared |
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