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退火工艺对低压铝箔氧化膜和比电容的影响
引用本文:吕亚平,毛卫民,何业东,杨宏.退火工艺对低压铝箔氧化膜和比电容的影响[J].材料热处理学报,2007,28(5):78-81.
作者姓名:吕亚平  毛卫民  何业东  杨宏
作者单位:北京科技大学材料学院,北京,100083;北京科技大学材料学院,北京,100083;北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083
基金项目:国家自然科学基金 , 高等学校博士学科点专项科研项目
摘    要:纯度99.988%的铝箔在300,400和500℃分别进行0.5,1和2h真空退火,然后利用电容法,间接测出退火箔的氧化膜厚度.用扫描电子显微镜观察部分退火箔的腐蚀形貌,测出相应的比电容.结果表明,在400℃退火时,铝箔的氧化膜厚度最小,300℃居中,500℃最大.在300℃退火时,随着保温时间的延长,铝箔的氧化膜厚度减小;而在400℃和500℃退火时,氧化膜厚度增大.500℃退火的铝箔,表面微量元素的分布接近于平衡状态,分布较均匀,铝箔表面腐蚀孔坑较细小,蚀坑密度大,比电容较高.而低温退火的箔样,微量元素偏聚在铝箔表面的位错露头附近,使铝箔表面出现大量的腐蚀孔坑,降低了比电容.

关 键 词:铝箔  氧化膜  腐蚀  扩散
文章编号:1009-6264(2007)05-0078-04
修稿时间:2006-09-20

Effect of annealing technology on oxide film and specific capacity of aluminum foils for low voltage electrolytic capacitors
L Ya-ping,MAO Wei-min,HE Ye-dong,YANG Hong.Effect of annealing technology on oxide film and specific capacity of aluminum foils for low voltage electrolytic capacitors[J].Transactions of Materials and Heat Treatment,2007,28(5):78-81.
Authors:L Ya-ping  MAO Wei-min  HE Ye-dong  YANG Hong
Affiliation:1. Department of Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China; 2. State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials, University of Science and Technology Beijing, Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:aluminum foil  oxide film  corrosion  diffusion
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