首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制
引用本文:李丽,赵正平,张志国,郭文胜,吕苗,杨瑞霞. 一种基于MEMS的射频低相位噪声压控振荡器的研制[J]. 半导体学报, 2006, 27(5): 900-904
作者姓名:李丽  赵正平  张志国  郭文胜  吕苗  杨瑞霞
作者单位:河北工业大学信息工程学院,天津 300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;河北工业大学信息工程学院,天津 300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;河北工业大学信息工程学院,天津 300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;河北工业大学信息工程学院,天津 300130
摘    要:利用微机械可变电容作为频率调节元件,制备了一种中心频率为2GHz的 LC VCO.微机械可变电容的控制极板与电容极板分离,并采用表面微机械工艺制造,在2GHz时的Q值最高约为38.462.MEMS VCO的测试结果表明,偏离2.007GHz的载波频率100kHz处的单边带相位噪声为-107.5dBc/Hz,输出功率为-13.67dBm.对微机械可变电容引起的机械热噪声以及减小空气压膜阻尼来降低相位噪声的方法进行了讨论,提出了一种优化阻尼孔数目的方法.

关 键 词:MEMS  可变电容  Q值  压控振荡器  相位噪声  MEMS  射频  低相位噪声  压控振荡器  Voltage Controlled Oscillator  孔数  优化阻尼  方法  压膜阻尼  空气  热噪声  表面微机械  输出功率  单边带  载波频率  测试结果  工艺制造  分离  电容极板  控制极板
文章编号:0253-4177(2006)05-0900-05
收稿时间:2005-07-27
修稿时间:2005-12-04

Voltage Controlled Oscillator
Li Li,Zhao Zhengping,Zhang Zhiguo,Guo Wensheng,Yang Ruixia. Voltage Controlled Oscillator[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(5): 900-904
Authors:Li Li  Zhao Zhengping  Zhang Zhiguo  Guo Wensheng  Yang Ruixia
Affiliation:School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051, China;School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051, China;School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051, China;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051, China;The 13th Research Institute of CETC,Shijiazhuang 050051, China;School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China
Abstract:A 2GHz LC VCO is fabricated using a micromachined variable capacitor for frequency tuning.The MEMS variable capacitors,whose controlling plates and capacitor plates are separated,are fabricated in a surface micromachining process.These devices have a quality factor of 38.462 at 2GHz.The MEMS VCO operating at 2.007GHz achieves a single side band phase-noise of -107.5dBc/Hz at a 100kHz offset from the carrier and an output power of -13.67dBm.On the basis of analysis of VCO mechanical-thermal noise produced from the micromachined variable capacitor,a method for lowering the phase noise by reducing the squeeze damping is proposed and an optimized number of damping holes is obtained.
Keywords:MEMS  variable capacitor  quality factor  VCO  phase noise
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号