首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

氧化钒薄膜的制备及其在光激励下对太赫兹波的调制
引用本文:夏晓旭,胡明,朱乃伟,梁继然,韦晓莹.氧化钒薄膜的制备及其在光激励下对太赫兹波的调制[J].光电子.激光,2014(4):681-686.
作者姓名:夏晓旭  胡明  朱乃伟  梁继然  韦晓莹
作者单位:天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072
基金项目:国家自然科学基金青年科学基金(61101055)和高等学校博士学科点专项 科研基金(20100032120029)资助项目 (天津大学 电子信息工程学院,天津 300072)
摘    要:采用磁控溅射法在蓝宝石基底上制备金属钒薄膜,然后在O2中快速热处理获得具有相变特性的VOx薄膜。实验对比了不同的热处理温度和热处理时间对薄膜性能的影响,薄膜的结晶状况用X射线衍射(XRD)进行分析;利用THz时域频谱系统,观测薄膜在不同激励光功率下的相变特性及其对THz波的调制作用。结果表明,在570℃条件下快速热处理60s所制得的VOx薄膜性能最佳,薄膜对THz波透过性最好,光激励后对THz波的调制作用最大,调制幅度达到83.9%,且引发相变的功率阈值低。

关 键 词:VOx薄膜  THz调制  光激励  快速热处理
收稿时间:2013/9/12 0:00:00
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《光电子.激光》浏览原始摘要信息
点击此处可从《光电子.激光》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号