氧化钒薄膜的制备及其在光激励下对太赫兹波的调制 |
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引用本文: | 夏晓旭,胡明,朱乃伟,梁继然,韦晓莹.氧化钒薄膜的制备及其在光激励下对太赫兹波的调制[J].光电子.激光,2014(4):681-686. |
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作者姓名: | 夏晓旭 胡明 朱乃伟 梁继然 韦晓莹 |
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作者单位: | 天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072;天津大学 电子信息工程学院,天津 300072 |
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基金项目: | 国家自然科学基金青年科学基金(61101055)和高等学校博士学科点专项 科研基金(20100032120029)资助项目 (天津大学 电子信息工程学院,天津 300072) |
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摘 要: | 采用磁控溅射法在蓝宝石基底上制备金属钒薄膜,然后在O2中快速热处理获得具有相变特性的VOx薄膜。实验对比了不同的热处理温度和热处理时间对薄膜性能的影响,薄膜的结晶状况用X射线衍射(XRD)进行分析;利用THz时域频谱系统,观测薄膜在不同激励光功率下的相变特性及其对THz波的调制作用。结果表明,在570℃条件下快速热处理60s所制得的VOx薄膜性能最佳,薄膜对THz波透过性最好,光激励后对THz波的调制作用最大,调制幅度达到83.9%,且引发相变的功率阈值低。
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关 键 词: | VOx薄膜 THz调制 光激励 快速热处理 |
收稿时间: | 2013/9/12 0:00:00 |
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