| 反应烧结压力对Bi2Te3半导体材料组织与性能的影响 |
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| 引用本文： | 张瑞英, 史志铭, 张秀梅, 张秀云,.反应烧结压力对Bi2Te3半导体材料组织与性能的影响[J].电子器件,2007,30(6):1998-2000. |
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| 作者姓名： | 张瑞英 史志铭 张秀梅 张秀云 |
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| 作者单位： | 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古,呼和浩特,010062;内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古,呼和浩特,010062;内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古,呼和浩特,010062;内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古,呼和浩特,010062 |
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| 摘 要： | 以Bi和Te的单质为原料,用固相反应烧结法制备Bi2Te3P型半导体制冷材料.实验采用X射线衍射仪、莱卡光学显微镜分析压制工艺对材料组织性能的影响.实验结果表明:压力增加,塞贝克系数减少.压力较小时有BiTe存在,压力增加BiTe减少,Bi2Te3增加,300KN时基本为纯Bi2Te3
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| 关 键 词： | 半导体制冷材料 Bi2Te3 固相反应烧结 |
| 文章编号： | 1005-9490(2007)06-1998-03 |
| 修稿时间： | 2007年8月30日 |
Effect of Sinter Press on the Microstructure and Properties of Bi_2Te_3 Semiconductor Cooling Material |
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| ZHANG Rui-ying,SHI Zhi-ming,ZHANG Xiu-mei,ZHANG Xiu-yun.Effect of Sinter Press on the Microstructure and Properties of Bi_2Te_3 Semiconductor Cooling Material[J].Journal of Electron Devices,2007,30(6):1998-2000. |
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| Authors: | ZHANG Rui-ying SHI Zhi-ming ZHANG Xiu-mei ZHANG Xiu-yun |
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| Affiliation: | Inner Mongolia University of Technology; College of Material Science and Engineering; Huhhot 010051; Chin |
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| Abstract: | Bismuth telluride P type semiconductor refrigerating material was fabricated by Solid-State Reaction and Agglomeration using Bi and Te. Analyzing effect of pressing on microstructure and properties by XRD, Leica microscope, it is shown that seebeck coefficient decrease with pressing pressure increasing. BiTe is existed when given a small pressing. BiTe decreases with pressing pressure increasing. BiTe almost vanishes when press gets 300 KN. |
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| Keywords: | Semiconductor refrigerating materials Bismuth telluride Solid-State Reaction and Agglomeration |
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