用10比1缩小投影光刻机制造最小线宽1微米的MOS器件

目前用紫外线光刻机已能制作最小线宽1微米的 LSI 器件。比如,用10∶1缩小投影光刻机,光刻胶用正性 AZ1450,用平行平板电极干式腐蚀装置进行蚀刻。线宽控制性能在20～20%以内。