| InSbMIS结构的磁电容谱研究 |
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| 引用本文： | 吴良津 刘坤. InSbMIS结构的磁电容谱研究[J]. 红外与毫米波学报, 1997, 16(1): 7-10 |
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| 作者姓名： | 吴良津 刘坤 |
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| 作者单位： | [1]福州大学,电子科学与应用物理系 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,电子科学与应用物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学资金,中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金 |
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| 摘 要： | 测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体－半导体器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系，对这种依赖关系作出了定性的解释。
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| 关 键 词： | 二维空穴气 磁电容谱 MIS器件 红外器件 |
STUDIES OF MAGNETO CAPACITANCE SPECTROSCOPY OF InSb MIS STRUCTURE |
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| Wu Liangjin Liu Kun Chu Junhao. STUDIES OF MAGNETO CAPACITANCE SPECTROSCOPY OF InSb MIS STRUCTURE[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1997, 16(1): 7-10 |
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| Authors: | Wu Liangjin Liu Kun Chu Junhao |
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| Abstract: | By measuring the magneto capacitance spectroscopy of an n type InSb metal insulator semiconductor (MIS) structure, the 2 dimensional hole subband in the p type channel of the InSb MIS device was investigated under different magnetic fields at 1 2K.It was shown that the on set energy of the p type channel has a strong dependence on the magnetic field. This behavior has been attributed mainly to the dependence of the InSb band gap energy on magnetic field. |
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| Keywords: | MOS device 2 dimensional hole system magnetocapacitance. |
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