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| GeSi／Si应变超晶格退火及离子注入研究 | |
| 引用本文： | 肖剑飞,封松林.GeSi／Si应变超晶格退火及离子注入研究[J].红外与毫米波学报,1997,16(5):321-324. |
| 作者姓名： | 肖剑飞 封松林 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院物理研究所 |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究退火及离子注入对分子束外延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格性质的影响，观察到３个与位错有关的深中心和１个表层内的深中心，退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍，说明ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变超晶格不适应做过多的热处理．同时测定Ｐｄ＋注入在ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格的杂质能级为ＥＣ＝０．２８ｅＶ，与体Ｓｉ中的Ｐｄ杂质能级一致． |
| 关 键 词： | GeSi／Si，应变超晶格，退火，离子注入 |
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