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| GaP：N液相外延层中杂质对PL谱的影响 | |
| 作者姓名： | 林秀华 江炳熙 |
| 作者单位： | 中国科学院红外物理国家重点实验室(林秀华)，厦门大学物理系(江炳熙) |
| 基金项目： | 中国科学院红外物理国家重点实验室和福建省自然科学基金 |
| 摘 要： | 借助低温光致发光方法测量了ＧａＰＮ双液相外延材料ＰＬ谱，结果表明：辐射复合效率高的材料ＰＬ谱基本上由孤立Ｎ和ＮＮｉ等束缚激子尖锐峰组成；发光效率较低的ＰＬ谱含有ＤＡ对辐射跃迁的钟形谱上迭加ＮＮｉ峰．分析了谱峰的性质，阐明了提高ＧａＰＮ外延片发光效率的制备工艺途径 |
| 关 键 词： | GaPN，液相外延，光致发光，辐射复合 |
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