| 攻克100nm技术面临的技术难关 |
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| 引用本文： | 付士萍,彭官忠.攻克100nm技术面临的技术难关[J].微纳电子技术,2000(6). |
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| 作者姓名： | 付士萍 彭官忠 |
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| 作者单位： | 电子十三所!河北石家庄050051 |
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| 摘 要： | 从势垒层和籽晶层、低 k介质、检测和计量以及光刻等方面详细阐述了 1 0 0 nm技术的开发情况及其所面临的问题。
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| 关 键 词： | 光刻 势垒 籽晶层 低k介质 缺陷检测 |
Challenges for the development of 100nm technology |
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| FU Shi-ping,PENG Guan-zhong.Challenges for the development of 100nm technology[J].Micronanoelectronic Technology,2000(6). |
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| Authors: | FU Shi-ping PENG Guan-zhong |
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| Abstract: | The recent development and challenges of 100nm technology in barriers and seed layers,low-k dielectric,metrology and lithography are reviewed. |
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| Keywords: | lithography barrier seed layer low-k dielectric defect inspectio |
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