| 氩离子注入硅表面引起氧化增强效应 |
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| 引用本文： | 杨义祥. 氩离子注入硅表面引起氧化增强效应[J]. 微电子学, 1991, 21(1): 7-9 |
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| 作者姓名： | 杨义祥 |
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| 作者单位： | 机电部24所 四川永川 |
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| 摘 要： | 实验证实了氩离子注入硅表面后在氧化时引起氧化增强效应;在硅表面注入氩离子后,将注入与非注入样品在温度1000℃的炉体中进行干氧、湿氧生长SiO_2,用膜厚测试仪测二氧化硅层的厚度;结果表明,在相同氧化条件下,氩离子注入样品的氧化层膜厚大于非注入样品的氧化层膜厚度。
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| 关 键 词： | 离子注入 氩离子 硅表面 增强效应 |
Oxidation Enhanced Effect Induced by Argon Ion-Implanted Silicon Surface |
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| Yang Yixiang. Oxidation Enhanced Effect Induced by Argon Ion-Implanted Silicon Surface[J]. Microelectronics, 1991, 21(1): 7-9 |
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| Authors: | Yang Yixiang |
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| Affiliation: | Sichuan Institute of Solid-State Circuits |
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| Keywords: | Ion implantation Oxide enhanced effect SiO_2 |
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