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| 改善GaAs MESFET性能的新途径 | |
| 引用本文： | 党冀萍.改善GaAs MESFET性能的新途径[J].半导体情报,1996,33(1):19-24. |
| 作者姓名： | 党冀萍 |
| 摘 要： | 尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。 |
| 关 键 词： | 半导体器件 器件性能 砷化镓 MESFET |
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