首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

热激励硅谐振式压力传感器的研制
引用本文:高晓童,崔大付,陈德勇,王利,王蕾.热激励硅谐振式压力传感器的研制[J].仪表技术与传感器,2004(4):1-2.
作者姓名:高晓童  崔大付  陈德勇  王利  王蕾
作者单位:中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京,100080
摘    要:介绍了基于表面微加工工艺和多孔硅牺牲层技术,设计并制作出梁膜一体化的热激励硅谐振梁压力传感器,给出了制作的工艺过程和参数,测试了传感器在真空中开环状态下的谐振频率一压力特性及幅频特性,其灵敏度达到54.89Hz/kPa,Q值大于20000,0~300kPa范围内线性相关系数为0.9997。

关 键 词:谐振梁  压力传感器  多孔硅  热激励  牺牲层  研制
文章编号:1002-1841(2004)04-0001-02
修稿时间:2003年5月16日

Development of Thermally Excited Si Resonant Pressure Sensor
GAO Xiao-tong,CUI Da-fu,CHEN De-yong,WANG Li,WANG Lei echnology.Development of Thermally Excited Si Resonant Pressure Sensor[J].Instrument Technique and Sensor,2004(4):1-2.
Authors:GAO Xiao-tong  CUI Da-fu  CHEN De-yong  WANG Li  WANG Lei echnology
Affiliation:GAO Xiao-tong,CUI Da-fu,CHEN De-yong,WANG Li,WANG Lei echnology,Institute of Electronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100080,China)
Abstract:
Keywords:Resonant Beam  Pressure Sensor  Porous Silicon  Thermal Excitation  Sacrificial Layer
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号