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基于低温ALD氧化锌/钙钛矿复合膜的光电探测器
引用本文:龚智鹏,杨尊先,郭太良.基于低温ALD氧化锌/钙钛矿复合膜的光电探测器[J].光电子技术,2022(4):274-279.
作者姓名:龚智鹏  杨尊先  郭太良
作者单位:福州大学物理与信息工程学院
基金项目:国家自然科学基金项目(61574039);;福建省自然基金项目(2015J01252);;国家科技部重点研发计划项目(2016YFB0401503,2016YFB0401305,2016YFB0401103);
摘    要:以原子层低温沉积技术(ALD)制备的氧化锌(ZnO)作为薄膜晶体管载流子传输层,将其与光电敏感性极高的CsPbBrI2全无机钙钛矿薄膜复合进一步研制出光电晶体管用于光电探测。氧化锌薄膜晶体管可在150℃低温条件下制备且无需高温退火,同时,CsPbBrI2钙钛矿薄膜也可以在低温工艺下制备。结果显示,CsPbBrI2/ZnO光电探测器表现出较好的性能,可对365 nm至600 nm波长的光辐射有光响应。在500 nm波长的光照射下,最大响应度和探测率分别可达2×103A/W和3×1014Jones。CsPbBrI2/ZnO光电晶体管的瞬态响应显示出250 ms的上升时间和200 ms的下降时间,并且在长时间测量后瞬态行为保持不变。

关 键 词:薄膜晶体管  氧化锌  钙钛矿薄膜  光电探测器
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