| 场助光电阴极研究进展 |
| |
| 作者姓名： | 岳江楠 李禹晴 陈鑫龙 徐鹏霄 邓文娟 彭新村 邹继军 |
| |
| 作者单位： | 1. 东华理工大学核技术应用教育部工程研究中心;2. 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（11875012,61961001,62061001）；;江西省自然科学基金（20192ACBL20003,20181BAB202026,20202BAB202013）； |
| |
| 摘 要： | 对场助光电阴极的发展进行回顾，介绍了场助光电阴极的工作原理，系统总结了三种具有代表性的阴极结构，分别是InP/InGaAsP/InP、InP/InGaAs、InGaAs/InAsP/InP光电阴极。InP/InGaAsP/InP双异质结结构是场助光电阴极研究的热点，这种结构大多用于长波阈值达到1.3μm的场助光电阴极；InGaAs异质结结构相对于其他结构具有很高的灵敏度，响应时间快，有利于在条纹变像管中应用；InGaAs/InAsP/InP结构的光电阴极在InP和InGaAs之间提供一层InAsP渐变层，对延长波长阈值非常有利，通过分析不同结构的特点及应用，讨论了场助光电阴极的发展方向以及难点。
|
| 关 键 词： | 场助光电阴极 转移电子光电阴极 铟镓砷 磷化铟 |
|
|
