| 双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究 |
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| 引用本文： | 王桂珍,姜景和,彭宏论,常东梅,郭红霞,杨海帆.双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究[J].微电子学,2000,30(4):247-249,253. |
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| 作者姓名： | 王桂珍 姜景和 彭宏论 常东梅 郭红霞 杨海帆 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西,西安,710020 |
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| 摘 要： | 介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射率，宽度分别为：～２ｎｓ、２０ｎｓ，～６０ｎｓ，１００ｎｓ，剂量率为１０＾５～１０＾６ｙ／ｓ），对三种晶体管进行了辐照，对其等效关系进行了分析，得到了二次光电流与总剂量基本成绩性关系的结论。
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| 关 键 词： | 脉冲γ源 双极晶体管 辐射效应 γ剂量率效应 |
| 文章编号： | 1004-3365(2000)04-0247-03 |
Transient Response of Transistors to Ionizing Radiation with Different Pulse Widths |
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| WANG Gui-zhen,JIANG Jing-he,PENG Hong-lun,CHANG Dong-mei,GUO Hong-xia,YANG Hai-fan.Transient Response of Transistors to Ionizing Radiation with Different Pulse Widths[J].Microelectronics,2000,30(4):247-249,253. |
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| Authors: | WANG Gui-zhen JIANG Jing-he PENG Hong-lun CHANG Dong-mei GUO Hong-xia YANG Hai-fan |
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