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| 基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程 | |
| 引用本文： | 刘松.基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程[J].今日电子,2008(11). |
| 作者姓名： | 刘松 |
| 作者单位： | 万代半导体元件上海有限公司 |
| 摘 要： | 本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程.开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程.在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加.米勒平台区对应着最大的负载电流.可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值. |
| 关 键 词： | 功率MOSFET 开关过程 电荷特性 导通 栅极电压 可变电阻 跨导 |
Understanding the switching process of power MOSFET based on its gate-charge characteristics |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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