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CdSe-SiO2光子晶体的垂直沉积及近红外变频特性
引用本文:于子龙,陈福义,介万奇,阎晓红. CdSe-SiO2光子晶体的垂直沉积及近红外变频特性[J]. 功能材料, 2008, 39(1): 20-22,25
作者姓名:于子龙  陈福义  介万奇  阎晓红
作者单位:西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072
基金项目:国家自然科学基金 , 航空基础科学基金
摘    要:在氧化铟锡玻璃上电化学合成了CdSe薄膜,采用垂直沉积法首次在CdSe薄膜上制备了SiO2胶体晶体, 实现了CdSe表面介电常数的调节.扫描电镜观察表明,500nm微球在CdSe薄膜上呈面心立方密堆结构排列,在微米尺度上胶体晶体显示出一定的多晶序.与SiO2胶体晶体相比,CdSe-SiO2光子晶体的UV-vis-NIR透射谱只有一个较宽的光子带隙,带隙在近红外波段随入射角减小向短波方向移动.所得CdSe-SiO2光子晶体样品可作为地面目标针对红外卫星成像的伪装材料.

关 键 词:胶体晶体  光子带隙  垂直沉积  CdSe
文章编号:1001-9731(2008)01-0020-03
收稿时间:2007-06-15
修稿时间:2007-09-14

Vertical deposition and spectral characteristics of CdSe-SiO2 photonic crystals
YU Zi-long,CHEN Fu-yi,JIE Wan-qi,YAN Xiao-hong. Vertical deposition and spectral characteristics of CdSe-SiO2 photonic crystals[J]. Journal of Functional Materials, 2008, 39(1): 20-22,25
Authors:YU Zi-long  CHEN Fu-yi  JIE Wan-qi  YAN Xiao-hong
Abstract:
Keywords:colloidal crystal   photonic band gap   vertical deposition   CdSe
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