| 射频功率HBT自加热效应及补偿方法 |
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| 引用本文： | 金冬月,张万荣,吴春瑜.射频功率HBT自加热效应及补偿方法[J].微电子学,2006,36(3):288-291. |
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| 作者姓名： | 金冬月 张万荣 吴春瑜 |
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| 作者单位： | 1. 辽宁大学,物理系,辽宁,沈阳,110036
2. 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;北京市优秀人才培养基金;国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系。结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE)。
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管 自加热效应 I-V特性 镇流电阻 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）03-0288-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-15 |
| 修稿时间： | 2005-09-152005-11-23 |
Self-Heating Effect of RF Power HBT and Its Compensation |
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| JIN Dong-yue,ZHANG Wan-rong,WU Chun-yu.Self-Heating Effect of RF Power HBT and Its Compensation[J].Microelectronics,2006,36(3):288-291. |
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| Authors: | JIN Dong-yue ZHANG Wan-rong WU Chun-yu |
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| Affiliation: | 1. Dept. of Physics, Liaoning University, Shenyang, Liaoning 110036, P. R. China; 2. College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology, Beijing , 100022, P, R, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Heterojunction bipolar transistor Self-heating effect I-V characteristics Ballast resistance |
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