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| 硅微条探测器 | |
| 引用本文： | 孟祥承. 硅微条探测器[J]. 核电子学与探测技术, 2003, 23(1): 4-18 |
| 作者姓名： | 孟祥承 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所,北京,100039 |
| 摘 要： | 硅微条探测器的位置分辨率可好于σ＝1．4μm，这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的。主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作原理及其在近年来的发展和在高能物理、核医学等领域应用概况。 |
| 关 键 词： | 硅微条探测器 p－n结 耗尽层 死层 像素探测器 硅片探测器 电荷耦合探测器 硅漂移室 |
| 文章编号： | 0258-0934(2003)01-0004-15 |
Silicon microstrip detector |
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| Abstract: | |
| Keywords: | silicon microstrip detector pixel CCD Si pad detector Si drift chamber |
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