12GHz GaAs单片低噪声放大器 |
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引用本文: | H.Itoh,赵勇.12GHz GaAs单片低噪声放大器[J].微纳电子技术,1984(2). |
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作者姓名: | H.Itoh 赵勇 |
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摘 要: | 研制了用于直播卫星接收机中单级和两级12GHz频段的GaAs低噪声放大器。单级放大器在11.7~12.7GHz带内提供小于2.5dB的噪声系数,大于9.5dB的相关增益,在此频带中两级放大器噪声小于2.8dB,相关增益大于16dB,为了获得低噪声而又不降低可重复性,在此放大器中采用了具有离子注入有源层的0.5μm短距离栅电极(CSE)FET,单级放大器芯片尺寸为1×O.9mm,两级放大器的芯片尺寸为1.5×0.9mm。
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