| 直流溅射ITO薄膜光电性能研究 |
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| 引用本文： | 赵亚丽,马富花,吕德涛,李克训. 直流溅射ITO薄膜光电性能研究[J]. 应用化工, 2013, 0(4): 634-636 |
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| 作者姓名： | 赵亚丽 马富花 吕德涛 李克训 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团第三十三研究所 |
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| 基金项目： | 山西省青年科技研究基金(2012021020-4) |
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| 摘 要： | 采用直流溅射法制备了高性能的ITO薄膜。结果表明,氧气分压比和衬底温度对薄膜的方阻、可见光透射率具有重要的影响。其最佳值分别为0.5/50和350℃;同时,随着膜厚的增加,薄膜的晶粒增大,导电率也相应降低。
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| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 氧分压 衬底温度 电阻率 |
Properties of ITO films prepared by DC magnetron sputtering |
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| ZHAO Ya-li,MA Fu-hua,Lü De-tao,LI Ke-xun. Properties of ITO films prepared by DC magnetron sputtering[J]. Applied chemical industry, 2013, 0(4): 634-636 |
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| Authors: | ZHAO Ya-li MA Fu-hua Lü De-tao LI Ke-xun |
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| Affiliation: | (NO.33 Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Taiyuan 030006,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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