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| SiO_2/CeO_2复合磨粒的制备及在蓝宝石晶片抛光中的应用 | |
| 引用本文： | 白林山,熊伟,储向峰,董永平,张王兵. SiO_2/CeO_2复合磨粒的制备及在蓝宝石晶片抛光中的应用[J]. 光学精密工程, 2014, 22(5): 1289-1295 |
| 作者姓名： | 白林山 熊伟 储向峰 董永平 张王兵 |
| 作者单位： | 白林山:安徽工业大学 化学与化工学院 安徽 马鞍山 243002 熊伟:安徽工业大学 化学与化工学院 安徽 马鞍山 243002 储向峰:安徽工业大学 化学与化工学院 安徽 马鞍山 243002 董永平:安徽工业大学 化学与化工学院 安徽 马鞍山 243002 张王兵:安徽工业大学 化学与化工学院 安徽 马鞍山 243002 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（No.50975002）;安徽工业大学创新团队项目（No.TD201204）;教育部高校留学回国人员科研项目；安徽工业大学研究生创新基金资助项目（No.2012029） |
| 摘 要： | 采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒呈球形,粒径在40-50nm;在相同条件下,经过复合磨料抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.32nm,材料去除速率为16.4nm/min,而SiO2抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.92nm,材料去除速率为20.1nm/min。实验显示,复合磨料的材料去除速率略低于单一SiO2磨料,但它获得了较好的表面质量,基本满足蓝宝石作发光二极管(LED)衬底的工艺要求。 |
| 关 键 词： | 蓝宝石晶片 化学机械抛光 表面粗糙度 SiO/CeO 复合磨料 |
| 收稿时间： | 2013-12-05 |
Preparation of nano SiO2 /CeO2 composite particles and their applications to CMP on sapphire substrates |
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| BAI Lin-shan;XIONG Wei;CHU Xiang-feng;DONG Yong-ping;Zhang Wang-bing. Preparation of nano SiO2 /CeO2 composite particles and their applications to CMP on sapphire substrates[J]. Optics and Precision Engineering, 2014, 22(5): 1289-1295 | |
| Authors: | BAI Lin-shan XIONG Wei CHU Xiang-feng DONG Yong-ping Zhang Wang-bing |
| Affiliation: | BAI Lin-shan;XIONG Wei;CHU Xiang-feng;DONG Yong-ping;Zhang Wang-bing;School of Chemistry and Chemical Engineering,Anhui University of Technology; |
| Abstract: | |
| Keywords: | sapphire substrate chemical mechanical polish surface roughness SiO2/CeO2 composite abrasive |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |