| 功率VDMOS器件粗铝丝键合工艺研究 |
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| 引用本文： | 王宁宁,何宗鹏,张振明,张彬彬.功率VDMOS器件粗铝丝键合工艺研究[J].电子工艺技术,2015(1):25-28. |
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| 作者姓名： | 王宁宁 何宗鹏 张振明 张彬彬 |
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| 作者单位： | 中国空间技术研究院北京卫星制造厂,北京,100094 |
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| 摘 要： | 粗铝丝键合是功率VDMOS器件封装的关键工序,键合质量的好坏直接影响到器件的封装成品率以及后续的筛选成品率。针对直径为380μm的粗铝丝进行功率VDMOS器件的键合工艺研究。结果显示,在选取130°的键合角度时,焊盘宽度应适当增加且应至少增加150μm,才能保证键合质量;随着第二点键合角度的增加,键合点尾丝端划伤芯片的情况变好;同时考虑键合点尾端和键合点颈部都完全在焊盘内,且采用默认的第二点键合角度,则所需焊盘宽度至少应为1 800μm。
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| 关 键 词： | 引线键合 功率器件 铝丝 |
Study on Heavy Aluminum Wire Bonding in Power VDMOS Devices |
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| WANG Ning-ning,HE Zong-peng,ZHANG Zhen-ming,ZHANG Bin-bin.Study on Heavy Aluminum Wire Bonding in Power VDMOS Devices[J].Electronics Process Technology,2015(1):25-28. |
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| Authors: | WANG Ning-ning HE Zong-peng ZHANG Zhen-ming ZHANG Bin-bin |
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| Affiliation: | WANG Ning-ning;HE Zong-peng;ZHANG Zhen-ming;ZHANG Bin-bin;Beijing Space Crafts; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Wire bonding Power device Aluminum wire |
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