| SOI高温压力传感器的研究现状 |
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| 引用本文： | 张书玉,张维连,张生才,姚素英.SOI高温压力传感器的研究现状[J].河北工业大学学报,2005,34(2):14-19. |
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| 作者姓名： | 张书玉 张维连 张生才 姚素英 |
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| 作者单位： | 河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130;天津大学,微电子研究所,天津,300072 |
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| 摘 要： | SOI(silicon on insulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器，具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点，能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求，在高温领域有很大的潜力．本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB)，简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状．
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| 关 键 词： | 压力传感器 SOI SiO2层 各向异性腐蚀 硅片直接键合 硅单晶片 |
| 文章编号： | 1007-2373(2005)02-0014-06 |
| 修稿时间： | 2004年10月25 |
The Research Status of SOI High-temperature Pressure Sensor |
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| ZHANG Shu-yu,ZHANG Wei-lian,ZHANG Sheng-cai,YAO Su-ying.The Research Status of SOI High-temperature Pressure Sensor[J].Journal of Hebei University of Technology,2005,34(2):14-19. |
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| Authors: | ZHANG Shu-yu ZHANG Wei-lian ZHANG Sheng-cai YAO Su-ying |
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| Affiliation: | ZHANG Shu-yu1,ZHANG Wei-lian1,ZHANG Sheng-cai2,YAO Su-ying2 |
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| Abstract: | High temperation SOI (silicon on insulator) pressure Sensor is a novel senmiconductor pressure sensor , it has the advantages of resisting high temperature, radiationand goodstability.can meet the needs in some harshenviroment, such as in the oil refining industry, automotive industry, aviation and space engineering , it has great potential in high temperature field. In this paper, we discuss the preparation methods of SOI materials-especially in silicon direct bonding method.and simply reports the predominance , the fabrication processes and development status of SOI pressure sensor. |
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| Keywords: | pressure sensor SOI SiO2 layer anisotropic etching SDB silicon film |
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