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| 高单轴应力下硅晶体电学性质的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 史文强 张劲松 刘越 |
| 作者单位： | 1.齐齐哈尔大学 |
| 摘 要： | 为分析单轴应力下硅晶体的电学性质,使用第一性原理方法分析了硅晶体在单轴拉伸以及单轴压缩条件下的强度及禁带宽度性质.计算了沿着[110][111][100]三个晶向的单轴压缩和拉伸强度,并在低于破坏强度的应力范围内,使用格林函数方法计算了不同单轴应力下硅晶体的禁带宽度.结果表明,理想晶体硅禁带宽度受单轴应力的影响变化明显... |
| 关 键 词： | 第一性原理 晶体硅 强度性质 电学性质 |