| DC-60 GHz硅基垂直互联结构仿真设计 |
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| 引用本文： | 游月娟,刘德喜,刘亚威,史磊. DC-60 GHz硅基垂直互联结构仿真设计[J]. 电子技术应用, 2022, 48(1): 142-145,151. DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.211907 |
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| 作者姓名： | 游月娟 刘德喜 刘亚威 史磊 |
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| 作者单位： | 北京遥测技术研究所,北京100094 |
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| 摘 要： | 设计了一种基于多层硅转接板堆叠的垂直互联结构,对DC-60 GHz频段内不考虑和考虑硅表面SiO2层的两种层间结构的垂直互联仿真结果进行对比,证明了硅表面SiO2层存在会对谐振频率及阻抗等射频性能产生影响;对后者垂直互联结构进行参数优化,射频传输性能较好,频率40 GHz以下时回波损耗S11小于-30 dB,60 GH...
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| 关 键 词： | 三维集成 硅转接板堆叠 垂直互联结构 传输性能 |
Design of DC-60 GHz silicon based vertical interconnection structure |
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| You Yuejuan,Liu Dexi,Liu Yawei,Shi Lei. Design of DC-60 GHz silicon based vertical interconnection structure[J]. Application of Electronic Technique, 2022, 48(1): 142-145,151. DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.211907 |
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| Authors: | You Yuejuan Liu Dexi Liu Yawei Shi Lei |
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| Abstract: | |
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