| 截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计 |
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| 引用本文： | 代鲲鹏,张凯,李传皓,范道雨,步绍姜,吴少兵,林罡,陈堂胜. 截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2022, 42(1): 10-15 |
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| 作者姓名： | 代鲲鹏 张凯 李传皓 范道雨 步绍姜 吴少兵 林罡 陈堂胜 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016,南京电子器件研究所,南京,210016;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61874101）； |
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| 摘 要： | 通过设计圆形阳极以及相同面积不同周长的指形阳极,研究了不同阳极周长面积比对太赫兹频段内GaN肖特基二极管串联电阻的影响.在阳极面积分别为7.1、12.6、19.6μm2时,采用圆形阳极的二极管串联电阻分别为14、11、6Ω.相同面积下采用指形阳极的二极管串联电阻分别为6.0、4.4、3.3Ω,截止频率达804、753、...
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| 关 键 词： | GaN 肖特基二极管 太赫兹 周长面积比 指形阳极 |
GaN Schottky Barrier Diodes with Cut-off Frequency of 0.8 THz and Its Design |
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| DAI Kunpeng,ZHANG Kai,LI Chuanhao,FAN Daoyu,BU Shaojiang,WU Shaobing,LIN Gang,CHEN Tangsheng. GaN Schottky Barrier Diodes with Cut-off Frequency of 0.8 THz and Its Design[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2022, 42(1): 10-15 |
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| Authors: | DAI Kunpeng ZHANG Kai LI Chuanhao FAN Daoyu BU Shaojiang WU Shaobing LIN Gang CHEN Tangsheng |
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