| E波段3.5 W GaN宽带高功率放大器MMIC |
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| 引用本文： | 戈勤,陶洪琪,王维波,商德春,刘仁福,袁思昊. E波段3.5 W GaN宽带高功率放大器MMIC[J]. 固体电子学研究与进展, 2022, 42(1): 1-4 |
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| 作者姓名： | 戈勤 陶洪琪 王维波 商德春 刘仁福 袁思昊 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016;微波毫米波单片集成与模块电路国家重点实验室,南京,210016,南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60～90 GHz)的宽带高功率放大器芯片.放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益.同时采用三级级联拓扑结构,结合紧凑的微带线宽带匹配电路,在60～92 GHz频率范围内,典型线性增益达到...
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| 关 键 词： | GaN HEMT E波段 宽带 高功率 MMIC |
E-band 3.5 W GaN Wideband High Power Amplifier MMIC |
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| GE Qin,TAO Hongqi,WANG Weibo,SHANG Dechun,LIU Renfu,YUAN Sihao. E-band 3.5 W GaN Wideband High Power Amplifier MMIC[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2022, 42(1): 1-4 |
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| Authors: | GE Qin TAO Hongqi WANG Weibo SHANG Dechun LIU Renfu YUAN Sihao |
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