| InGaAs／InAlAs多量子阱电吸收光调制器 |
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| 引用本文： | 金峰 蔡丽红. InGaAs／InAlAs多量子阱电吸收光调制器[J]. 高技术通讯, 1997, 7(6): 24-26 |
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| 作者姓名： | 金峰 蔡丽红 |
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| 作者单位： | [1]清华大学电子工程系 [2]中国科学院物理研究所 |
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| 摘 要： | 在国内首次设计并制作了脊波导结构的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在３．０Ｖ的驱动电压下实现了２０ｄＢ以上的消光比，光３ｄＢ带宽达到了３ＧＨｚ，对限制光调制器带宽的主要原因进行了分析，结果表明器件电容限制了带宽的提高，这主要是由于ＳｉＯ２刻蚀液的钻蚀导致ＳｉＯ２绝缘层厚度减小造成的。改进制作工艺可望大大改善调制器的工作
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| 关 键 词： | 光调制器 电吸收 多量子阱 InGaAs／InAlAs |
InGaAs/InAlAs Multiple Quantum Well Electro-absorption Modulator |
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| Jin Feng, Sun Ke, Yu Qian, Wang Jianhua, Li Dejie, Cai Lihong, Huang Yi, Zhou Junming. InGaAs/InAlAs Multiple Quantum Well Electro-absorption Modulator[J]. High Technology Letters, 1997, 7(6): 24-26 |
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| Authors: | Jin Feng Sun Ke Yu Qian Wang Jianhua Li Dejie Cai Lihong Huang Yi Zhou Junming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Optical modulator Electro-absorption MQW InGaAs/InAlAs |
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