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| 短周期(Ge)_n(Si)_n应变超晶格电子结构的自洽赝势计算 | |
| 引用本文： | 范卫军,顾宗权.短周期(Ge)_n(Si)_n应变超晶格电子结构的自洽赝势计算[J].半导体学报,1993,14(2):128-131. |
| 作者姓名： | 范卫军 顾宗权 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所 北京 100083，北京 100083 |
| 摘 要： | 在局域密度近似下,用第一原理自洽赝势的方法计算了短周期超晶格(Ge)_1(Si)_1和(Ge)_2(Si)_2的能带结构。结果表明(Ge)_1(Si)_1是间接带,导带最低点在布里渊区的X点。(Ge)_2(Si)_2也是间接带,导带最低点在布里渊区M点附近。给出了禁带宽度及自旋轨道分裂值,并与有关的理论和实验做了比较。 |
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